アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

この企業が出願した発明 - 661件

• 制御された電気抵抗率を備えた耐プラズマ性セラミック

  【課題】腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。【解決手段】腐食性プラズマはハロゲン含有プラズマであってよい。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009035469号

• スリットバルブ補償を備えた拡散プレート

  【課題】プラズマの均一な分配により、大型基板全体における膜の均一性が補助され得る拡散プレートアセンブリ、プラズマ処理チャンバ及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】拡散プレート２００は、複数の中空カソードキャビティ２１４ａ〜...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009035821号

• 半導体製造装置

  【課題】 均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。【解決手段】 スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009057639号

• 高ｋ材料ゲート構造の高温エッチング方法

  【課題】高ｋ材料を高温でエッチングする方法を提供する。【解決手段】一実施形態において、基板上の高ｋ材料をエッチングする方法は、高ｋ材料層をその上に有する基板をエッチングチャンバ内に設置し、少なくともハロゲン含有ガスを含むエッチン...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021584号

• プラズマエッチング用高温カソード

  【課題】本発明は概して高温プラズマエッチング応用例での使用に適したカソードである。【解決手段】一実施形態において、カソードは基部に固定されたセラミック製静電チャックを含む。基部の内部には冷却用導管が形成されている。剛性支持リング...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021592号

• 容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法

  【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021605号

• 透明導電性酸化物コーティングの製造方法

  【課題】 透明導電性酸化物コーティング（ＴＣＯ層）、特に薄片太陽電池用の透明コンタクトとしての透明導電性酸化物コーティングの生成方法の提供。【解決手段】 ＴＣＯ層は、少なくとも高導電性の第一層と低導電性の第二層からなり、第二...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021607号

• 不揮発性メモリデバイス用インターポリ誘電体を形成するための統合スキーム

  【課題】 不揮発性メモリデバイスの漏れ電流を維持するか又は減少させつつ、デバイス寸法の減少を可能にする電子デバイス及び電子デバイスを形成する方法の提供。【解決手段】 一実施形態において、不揮発性メモリデバイスを製造する方法は...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021608号

• 勾配組成を有する最上層を備えた３層バリア層構造

  【課題】電子移動の性能を改善しまたリソグラフィープロセスステップを有利にする目的で、バリア層のアルミニウムの｛１１１｝含有率を上げる。【解決手段】ＩＭＰ技術を用いて（Ｔｉ又はＴｉＮX）／ＴｉＮ／ＴｉＮXバリア層を堆積する場合に、...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021635号

• 整形されたるつぼ及びこのるつぼを有する蒸発装置

  【課題】基板を、金属等の材料で被覆する場合、該基板上に既に堆積されている層、特に、有機材料からなる層で、プラズマ放射等の蒸発プロセスの副作用によるダメージを受けないるつぼ及びその蒸発装置を提供する。【解決手段】蒸発装置用るつぼで...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009030169号

• 動的表面アニール処理のための吸収層

  【課題】複数のデバイスを含む基板に対し、電磁放射線によるアニール中に基板の表面全体に一様な加熱を実施する方法を提供する。【解決手段】基板３００上にアモルファス炭素を含む層３１２を堆積させるステップと、その後、該層３１２を少なくと...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033150号

• 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター

  【課題】 基板を処理するための改良された真空チャック型ヒーターを提供すること。【解決手段】 軸対称及び／又はより均一な熱プロファイルを有する真空チャックの実施形態が提供される。ある実施形態では、真空チャックは、基板を支持する...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033178号

• 半導体デバイスの低温酸化のための方法

  【課題】 半導体基板上に酸化物層を製造する方法の提供。【解決手段】 ある実施形態において、半導体基板上に酸化物層を形成する方法は、プラズマリアクタの真空チャンバ内で基板支持体上に酸化すべき基板を載置するステップであって、チャ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033179号

• 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド

  【課題】 新規な化学的機械研磨装置用の支持ヘッドを提供する。【解決手段】 支持ヘッドは、研磨面上に基板を配置するための支持ヘッドであって、共に回転すべく駆動シャフトに連結可能なハウジングと、ベースと、ハウジングをベースに枢動...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033197号

• 選択スプレー式エッチングを使用して堆積チャンバ部分をクリーニングするための方法及び装置

  【課題】処理装置の構成部分表面の付着膜をクリーニングするための方法及び装置を提供する。【解決手段】一態様において、電子装置製造処理チャンバの構成部分をクリーニングするための方法であって、ａ）上記部分の最表面の意図していない被覆層...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009007674号

• パターニングデバイスの洗浄方法、基板への層系の堆積方法、パターニングデバイスの洗浄システム及び基板に層系を堆積するためのコーティングシステム

  【課題】少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009010350号

• 低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置

  【課題】基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。【解決手段】本発明の１つの態様において、耐熱性層が、...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009010434号

• キャリブレーションデバイスによるロボットキャリブレーションのための方法及び装置

  【課題】ロボットコンポーネントのキャリブレーションを実施する方法及びシステムを開示する。【解決手段】一実施形態において、ロボットキャリブレーションを実施する方法には、ターゲット（例えば、ウェハチャック）を横断してキャリブレーショ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009061585号

• ＰＥＣＶＤシステムにおけるソースガス流路の制御によるチャンバ内部での副生成物の膜堆積制御

  【課題】処理ガスの処理チャンバ内での流路を制御し、チャンバ壁部上及びスリットバルブ開口部内部への望ましくない堆積を軽減することにより、チャンバ洗浄の間隔を長くし、基板処理のスループットを向上した方法と装置を提供する。【解決手段】...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009062617号

• 拡散装置支持体

  【課題】拡散装置が、高い処理温度、重力、及びその他の力に曝されることにより、下垂、クリープ発生、運動、及び／又は亀裂を発生することを防ぐ拡散装置支持体を提供する。【解決手段】１つ以上の拡散装置支持部材１６０がバッキングプレート１...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065121号

• プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置

  【課題】熱移送流体通路内のプラズマ形成及びアーキングを減少させる静電チャックのための流体分配要素を準備するための方法及び装置を提供する。【解決手段】一実施形態は、プレート４４０と、上記プレート４４０へ挿入される誘電体コンポーネン...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065133号

• アルミニウム相互接続部の制御された表面酸化

  【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度か...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065148号

• プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ

  【課題】プラズマリアクタチャンバ内でウェハ全体に亘ってのエッチング速度の均一な分布が可能なプラズマリアクタチャンバを提供する。【解決手段】側壁部１０８と天井部１１０を含むチャンバ筐体と、ワークピース支持体１２５と、前記ワークピー...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065153号

• 化学機械研磨ヘッド用保持リング

  【課題】化学的機械研磨において、基板全体に均一な荷重を加えることが可能な化学的機械研磨ヘッド用保持リングを提供する。【解決手段】化学機械研磨ヘッド用保持リング１１０は、下面２３０、円筒内面２３２、円筒外面、最上面、及び、通路２３...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065195号

• 基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング

  【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009041110号