アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

この企業が出願した発明 - 399件

• 制御された電気抵抗率を備えた耐プラズマ性セラミック

  【課題】腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。【解決手段】腐食性プラズマはハロゲン含有プラズマであってよい。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009035469号

• スリットバルブ補償を備えた拡散プレート

  【課題】プラズマの均一な分配により、大型基板全体における膜の均一性が補助され得る拡散プレートアセンブリ、プラズマ処理チャンバ及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】拡散プレート２００は、複数の中空カソードキャビティ２１４ａ〜...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009035821号

• 半導体製造装置

  【課題】 均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。【解決手段】 スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009057639号

• 高ｋ材料ゲート構造の高温エッチング方法

  【課題】高ｋ材料を高温でエッチングする方法を提供する。【解決手段】一実施形態において、基板上の高ｋ材料をエッチングする方法は、高ｋ材料層をその上に有する基板をエッチングチャンバ内に設置し、少なくともハロゲン含有ガスを含むエッチン...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021584号

• プラズマエッチング用高温カソード

  【課題】本発明は概して高温プラズマエッチング応用例での使用に適したカソードである。【解決手段】一実施形態において、カソードは基部に固定されたセラミック製静電チャックを含む。基部の内部には冷却用導管が形成されている。剛性支持リング...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021592号

• 容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法

  【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021605号

• 透明導電性酸化物コーティングの製造方法

  【課題】 透明導電性酸化物コーティング（ＴＣＯ層）、特に薄片太陽電池用の透明コンタクトとしての透明導電性酸化物コーティングの生成方法の提供。【解決手段】 ＴＣＯ層は、少なくとも高導電性の第一層と低導電性の第二層からなり、第二...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021607号

• 不揮発性メモリデバイス用インターポリ誘電体を形成するための統合スキーム

  【課題】 不揮発性メモリデバイスの漏れ電流を維持するか又は減少させつつ、デバイス寸法の減少を可能にする電子デバイス及び電子デバイスを形成する方法の提供。【解決手段】 一実施形態において、不揮発性メモリデバイスを製造する方法は...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021608号

• 勾配組成を有する最上層を備えた３層バリア層構造

  【課題】電子移動の性能を改善しまたリソグラフィープロセスステップを有利にする目的で、バリア層のアルミニウムの｛１１１｝含有率を上げる。【解決手段】ＩＭＰ技術を用いて（Ｔｉ又はＴｉＮX）／ＴｉＮ／ＴｉＮXバリア層を堆積する場合に、...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009021635号

• 整形されたるつぼ及びこのるつぼを有する蒸発装置

  【課題】基板を、金属等の材料で被覆する場合、該基板上に既に堆積されている層、特に、有機材料からなる層で、プラズマ放射等の蒸発プロセスの副作用によるダメージを受けないるつぼ及びその蒸発装置を提供する。【解決手段】蒸発装置用るつぼで...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009030169号

• 動的表面アニール処理のための吸収層

  【課題】複数のデバイスを含む基板に対し、電磁放射線によるアニール中に基板の表面全体に一様な加熱を実施する方法を提供する。【解決手段】基板３００上にアモルファス炭素を含む層３１２を堆積させるステップと、その後、該層３１２を少なくと...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033150号

• 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター

  【課題】 基板を処理するための改良された真空チャック型ヒーターを提供すること。【解決手段】 軸対称及び／又はより均一な熱プロファイルを有する真空チャックの実施形態が提供される。ある実施形態では、真空チャックは、基板を支持する...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033178号

• 半導体デバイスの低温酸化のための方法

  【課題】 半導体基板上に酸化物層を製造する方法の提供。【解決手段】 ある実施形態において、半導体基板上に酸化物層を形成する方法は、プラズマリアクタの真空チャンバ内で基板支持体上に酸化すべき基板を載置するステップであって、チャ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033179号

• 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド

  【課題】 新規な化学的機械研磨装置用の支持ヘッドを提供する。【解決手段】 支持ヘッドは、研磨面上に基板を配置するための支持ヘッドであって、共に回転すべく駆動シャフトに連結可能なハウジングと、ベースと、ハウジングをベースに枢動...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009033197号

• 選択スプレー式エッチングを使用して堆積チャンバ部分をクリーニングするための方法及び装置

  【課題】処理装置の構成部分表面の付着膜をクリーニングするための方法及び装置を提供する。【解決手段】一態様において、電子装置製造処理チャンバの構成部分をクリーニングするための方法であって、ａ）上記部分の最表面の意図していない被覆層...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009007674号

• パターニングデバイスの洗浄方法、基板への層系の堆積方法、パターニングデバイスの洗浄システム及び基板に層系を堆積するためのコーティングシステム

  【課題】少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009010350号

• 低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置

  【課題】基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。【解決手段】本発明の１つの態様において、耐熱性層が、...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009010434号

• キャリブレーションデバイスによるロボットキャリブレーションのための方法及び装置

  【課題】ロボットコンポーネントのキャリブレーションを実施する方法及びシステムを開示する。【解決手段】一実施形態において、ロボットキャリブレーションを実施する方法には、ターゲット（例えば、ウェハチャック）を横断してキャリブレーショ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009061585号

• ＰＥＣＶＤシステムにおけるソースガス流路の制御によるチャンバ内部での副生成物の膜堆積制御

  【課題】処理ガスの処理チャンバ内での流路を制御し、チャンバ壁部上及びスリットバルブ開口部内部への望ましくない堆積を軽減することにより、チャンバ洗浄の間隔を長くし、基板処理のスループットを向上した方法と装置を提供する。【解決手段】...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009062617号

• 拡散装置支持体

  【課題】拡散装置が、高い処理温度、重力、及びその他の力に曝されることにより、下垂、クリープ発生、運動、及び／又は亀裂を発生することを防ぐ拡散装置支持体を提供する。【解決手段】１つ以上の拡散装置支持部材１６０がバッキングプレート１...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065121号

• プラズマ侵入及びアーキングを減少させた静電チャックを準備するための方法及び装置

  【課題】熱移送流体通路内のプラズマ形成及びアーキングを減少させる静電チャックのための流体分配要素を準備するための方法及び装置を提供する。【解決手段】一実施形態は、プレート４４０と、上記プレート４４０へ挿入される誘電体コンポーネン...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065133号

• アルミニウム相互接続部の制御された表面酸化

  【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度か...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065148号

• プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ

  【課題】プラズマリアクタチャンバ内でウェハ全体に亘ってのエッチング速度の均一な分布が可能なプラズマリアクタチャンバを提供する。【解決手段】側壁部１０８と天井部１１０を含むチャンバ筐体と、ワークピース支持体１２５と、前記ワークピー...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065153号

• 化学機械研磨ヘッド用保持リング

  【課題】化学的機械研磨において、基板全体に均一な荷重を加えることが可能な化学的機械研磨ヘッド用保持リングを提供する。【解決手段】化学機械研磨ヘッド用保持リング１１０は、下面２３０、円筒内面２３２、円筒外面、最上面、及び、通路２３...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009065195号

• 基板プロセス装置でのエッジ堆積を制御する移動可能リング

  【課題】内部に基板支持体が配置されているプロセスチャンバを備える基板プロセス装置。【解決手段】基板支持体は、加熱ペデスタルの形であり、それ自身とペデスタルの間の隙間を限定する除去可能なパージリングによって周囲を囲まれている。外側...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009041110号

• 複数の光源を用いたパイロメータの校正

  【課題】温度プローブ（パイロメータ等）を校正するための校正機器を提供する。【解決手段】校正機器は、安定な光源（発光ダイオード等）を２個備え、既知の温度において黒体に擬似するようになっている。【選択図】図１９
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2009042248号

• 制御可能なターゲットの冷却

  【課題】主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007031838号

• 半導体処理装置において熱膨張差を有する材料間の結合に有用なシーリングデバイス及び方法

  【課題】 半導体処理チャンバにおいて、第１の部分を第１の圧力に、第２の部分を第２の圧力にするシール部材を熱膨張係数の異なる部材間に適用。【解決手段】異なる熱膨張係数を有する上部平盤１０６と支持プラットフォームハウジング１０８の...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007036222号

• ワークピースを保持する双極静電チャック

  【課題】チャックがワークピースに与える静電力をバランスさせる装置を備えた静電チャックを提供する。【解決手段】１対の埋め込まれた共面電極１０６と、チャック体１１０の支持面１２２に堆積された複数の導電性支持部材１２０を含むウェハ離間...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007165915号

• アンチレフレクティブコーティング及びその堆積の方法

  【課題】 本発明は、アンチレフレクティブ層の堆積のための安定なプロセスを提供する。【解決手段】 ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトラ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007180561号

• デュアル周波数バイアスを具備する化学気相堆積チャンバおよびこれを使用するフォトマスク製造方法

  【課題】フォトマスク製造におけるプロセス集積方法および装置を提供する。【解決手段】フォトマスク製造におけるプロセス集積に適したクラスターツールは、少なくとも１つの、３つのＲＦ電源を併せ持つハードマスク堆積チャンバと、クロムをエッ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007084919号

• フラットパネルディスプレイ用のカラーフィルタのピクセルマトリクスを製造する方法及び装置

  【課題】ピクセルマトリクスを形成するための装置及び方法が提供される。【解決手段】方法は、基板をピクセルマトリクス材料でコーティングし、ピクセルマトリクス材料を疎インク性材料でコーティングし、ピクセル井戸をピクセルマトリクス材料及...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007086780号

• プラズマ特性を求める方法

  【課題】プラズマ特性を求めるための方法を提供する。【解決手段】一実施形態において、プラズマ特性を求めるための方法は、プラズマに異なる周波数で結合された第１及び第２波形の電流及び電圧情報のメトリックを得て、周波数の異なる波形のそれ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007335875号

• 化学的機械研磨用の膜

  【課題】研磨処理能力を最適にすると同時に、希望の平坦度と仕上りを提供する化学的機械研磨装置が必要である。具体的には、化学機械研磨装置は、基板全体に実質的に均一な荷重を加える支持ヘッドを持たなければならない。【解決手段】膜１６２は...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007335895号

• 総合プロセスモジュレーション（ＩＰＭ）ＨＤＰ−ＣＶＤによるギャップ充填のための新規な解決法

  【課題】 ギャップ充填性能が改善された、プロセスチャンバ内に配置された基板上に酸化シリコン膜を堆積させる方法が提供される。【解決手段】 ハロゲン源、フルーエントガス、シリコン源、酸化ガス反応種を含むプロセスガスがプロセスチャ...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2007305981号

• プラズマ反応器部品の製造方法

  【課題】特に、プラズマ又は他の反応性環境での使用に対して、耐食性にすぐれたシリコン部品の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン部品を製造する方法であって、（ａ）シリコン成長プロセスサイクルを用いてシリコンサンプルを提供し、前記...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008247734号

• イオン電流に関連した発光分光法／残留ガス分析装置を使用するドーズ計測

  【課題】 高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。一...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008252078号

• ウェハ搬送用ブレード

  【課題】 簡素な構成を有し、ウェハの欠損の抑制が図られたウェハ搬送用ブレードを提供する。【解決手段】 本発明に係るブレード１６は、本体部１８のブレード面のウェハ搭載領域１８ｂに設けられた突起部２２により、ブレード面１８ａに搭...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008252012号

• 複数のＶＨＦ源を用いるイオン分布均一性制御器を備えたプラズマリアクタ

  【課題】高い周波数の容量結合プラズマを用いたイオン分布均一性の高いプラズマリアクタを提供する。【解決手段】プラズマリアクタは、ワークピースサポート台座に対向する天井電極と、台座の台座電極と、天井電極と台座電極の同一又は異なる一方...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008252067号

• 処理チャンバへのガスフローを制御する方法及び装置

  【課題】半導体処理システムにガスを分配する方法及び装置を提供する。【解決手段】一実施形態において、ガスを半導体処理システムに分配する装置は、入口及び出口ポートを有する複数のガス入力及び出力ラインを含む。接続ラインは、各対のガス入...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008252073号

• 半導体処理チャンバ表面を洗浄する装置及び方法

  【課題】チャンバ内に残留する堆積物による半導体の汚染を防止する方法を提供する。【解決手段】チャンバ１００表面近傍の温度制御付きセラミックのライナ１０２の温度は、半導体の基板処理中にライナ１０２表面上の堆積物形成の低減やライナ１０...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008252099号

• 光学的放射分光を使用するその場でのドーズ監視

  【課題】 半導体基板のプラズマ処理中に１つ以上の種のドーズ量を監視するための方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマプロセス中にイオンドーズ量を監視する方法及び装置を提供する。本発明の一実施形態は、基...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008244444号

• コーティング装置及びガス供給システム

  【課題】均一なガス配分の配管システムを具備するＰＥＣＶＤコーティング装置を提供する。【解決手段】配管１は、夫々、少なくとも１つの供給口２と、複数の排気口４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆの間に配置される。配管１の形状は、配管の流...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008231568号

• 気化るつぼ、および気化特徴を適合した気化装置

  【課題】垂直気化の場合にも、安定して材料が気化するるつぼを提供する。【解決手段】気化るつぼ１００は、電気伝導性本体１２０およびカバー１５０を含み、上記本体は、上記本体に加熱電流を付加するための第１電気接続部１６２と第２電気接続部...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008231573号

• プラズマコーティングチャンバ用吸引装置

  【課題】本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置（８）に関する。【解決手段】該装置は、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ生成のために設けられた電極の近傍に配置可能であり、プラズマ領...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008231574号

• 薄膜プロセスの方法

  【課題】ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限し...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008235857号

• パルス化ＶＨＦ動作によるプラズマ種と均一性の制御

  【課題】基板処理用の装置を提供する。【解決手段】基板処理用の装置は、チャンバ、高周波電源及び低周波電源を有する。チャンバは、その中に配置した第１の電極と第２の電極を有する。高周波電源を第１の電極又は第２の電極のいずれかと電気的に...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008235901号

• チャンバ、特に真空チャンバ内でキャリアを移動させる為の装置

  【課題】層状基板を搬送する為に搬送ローラを備えた真空コーティング設備において、少なくとも一方向で、チャンバ内部の対象物を自動的に移動させる装置を提供する。【解決手段】キャリア１１は、板状に形成され、駆動システムによりローラ１２上...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008254925号

• 少なくとも１つの電気消費機器への電圧供給部

  【課題】本発明は、真空チャンバ内に配置されている電気装置への、ケーブルを使用する電圧供給部に関する。【解決手段】この電圧供給部は、ケーブルの中、絶縁間隙に沿って、特に、ケーブルのコアとシールド層との間の空間と、ケーブルから電気装...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008258140号

• プラスチック基板を堆積するためのデバイスおよびプロセス

  【課題】プラスチック基板上の金属層の接着が改良されるプロセスを提供する。さらに、このようなプロセスが実行可能なウェブ堆積機器を提供する。【解決手段】少なくとも１つの金属層、特に柔軟性プリント回路ボード用のプラスチックフォイルを具...
  出願人・権利者：アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ 発明2008258581号